反应烧结碳化硅陶瓷
  • 【48812】4H-N碳化硅晶锭出产商激光冷切开冷剥离
来源:反应烧结碳化硅陶瓷    发布时间:2024-04-24 11:49:34
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  恒迈瑞专心于出产高质量4H-N碳化硅晶锭,并为激光冷切开设备激光冷剥离设备出产商供给6英寸导电型碳化硅晶锭。

  恒迈瑞专心于出产高质量4H-N碳化硅晶锭,并为激光冷切开设备激光冷剥离设备出产商供给6英寸导电型碳化硅晶锭。

  激光冷切开技能先用激光照耀晶锭构成脱落层,使碳化硅资料内部体积胀大,由此发生拉伸应力构成一层十分窄的微裂纹,然后经过聚合物冷却过程将微裂纹处理为一个主裂纹,终究将晶圆与剩下的晶锭分隔。

  该技能具有以下优势:1)每片晶圆总切断丢失小于100μm;2)SiC晶圆的良率进步90%;3)该技能大幅度削减了SiC晶圆出产的悉数过程中的原资料损耗,可以给我们供给3倍的资料,终究SiC器材产能进步近2倍,本钱下降20-30%。以单个20mm的SiC晶锭为例,选用多线μm的晶圆,而选用冷切技能能将单片晶圆厚度削减到200μm,晶圆产值进步到超80片。

  主营产品:硅基氮化镓外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切开片,碳化硅衬底晶片,碳化硅同质外延片,氮化镓衬底片